《战略性新兴产业分类（2018）》（国家统计局令第23号）中3.2.9.1高纯金属制造3216*明确提及“电子信息用高纯铝（纯度＞99.99%）”。

高纯铝主要通过电解精炼和偏析熔炼方式生产，呈银白色，表面光洁，具有清晰结晶纹，不含有夹杂物。高纯铝具有较高的延展性、电导率及塑性等性能，主要被应用于电子工业、化学工业及制造高纯合金、光学材料及一些其他特殊用途。MBE用高纯铝源的纯度为6N5及以上的高纯铝材料，是通过偏析和化学方法合并提纯，在6N高纯铝锭的基础上近一步将杂质提纯析出，并进行挤压、锯切、抛光、清洗、包装等工序，制成符合能直接进入MBE设备使用的高纯铝源，主要有棒状、颗粒、圆片等形状。本材料主要应用在半导体行业的分子束外延（MBE）领域。分子束外延是一种原子级的晶体生长技术，它能在衬底材料上生长出极薄的(可薄至单原子层水平)单晶体和几种物质交替的超晶格结构，主要应用在包括激光器、光电探测器、光纤传感器、电荷耦合器件(CCD)摄像系统和平板显示系统等。

据统计，目前国内外对6N5高纯铝的需求日益增长，现阶段国内使用的6N5高纯铝材料主要依靠进口，国际上能够生产6N5高纯铝的公司主要集中在欧美及日本。南通泰德电子材料科技有限公司花费10年时间研发生产出6N5及以上高纯铝，经过昆明物理所、武汉拓材、中科院物理所等多家企业使用，并经过国内外知名检测中心EAG、博飞克等第三方检测机构检测，完全达到甚至超过国外产品的纯度，可以替代进口材料，让国内军工和高端企业摆脱进口可能带来的限制和不确定性，产品应用已填补了国内空白，打破了国外对中国6N5高纯铝的垄断，为我国MBE技术的发展提供了可靠的高纯铝材料，提高了我国铝提纯技术在国际上的地位。

目前国内针对半导体MBE上使用的高纯铝源尚无相应的产品标准，制定此标准，是为了规范MBE用高纯铝源的产品，为国内制造和使用企业制定一个质量标准，为减少产品使用过程中出现问题及后续的判定索赔等提供依据。综上，特申请关于MBE用高纯铝源的行业标准，此标准的制定将会使我们国家的MBE用高纯铝源有一个规范标准，同时也是MBE用高纯铝源贸易、仲裁及质量监督检查的依据。

本标准规定了分子束外延（MBE）用高纯铝源的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。

    本标准适用于分子束外延用高纯铝源。本标准规定产品的技术要求主要包括加工方法、化学成分、外观质量、尺寸要求、包装方式等。

目前国际上能生产6N5至6N7高纯铝的企业主要有日本住友、美国铝业和海德鲁等知名企业，但使用较多且能工业化稳定生产的绝大多数是6N5高纯铝，国内使用方很多通过贸易商采购。进口6N5高纯铝源材料价格较高，约在400-500元/克，直接给各企业带来成本高的问题，南通泰德能够将价格降低至200元/克左右，大大减少了使用企业的成本，让使用企业的产品更具备价格竞争力。

南通泰德电子材料科技有限公司一直致力于高纯铝的生产研发，从最初的5N高纯铝开始，不断改进工艺，直至今日能稳定提供6N5及以上高纯铝材料，成为国内公认领先的高纯铝企业，得到了国内高纯铝使用者和同行的一致认可。公司生产的5N-6N5各类产品出口至欧美等国家，也得到良好的使用体验和反馈，南通泰德电子材料科技有限公司也被认为是中国极少数能够稳定生产出MBE专用高纯铝源的企业。

国内6N5高纯铝源材料国产化程度较低，但已经有往国产过渡的趋势，未来使用的需求会越来越大，一旦被国外限制进口，直接影响目前材料使用商的生产。国外的技术参数相对封锁，目前国内现有的YS/T 275-2018《高纯铝锭》包含纯度为5N、5N5、6N的高纯铝锭，下游应用主要为电子薄膜、高端试剂、平板显示、光学材料等领域。半导体领域中应用的MBE用高纯铝源属于高纯铝锭的再加工产品，纯度达6N5及以上，国内没有相关标准，因此需要制定一个统一的MBE用高纯铝源标准，推动国内MBE用高纯铝源产业的研究和发展，打破国内高纯铝源产品供应主要依赖进口的不利局面。