随着电子信息产业的飞速发展，靶材作为电子信息产业的基础材料，已得到了空前发展，市场规模日益扩大并蓬勃发展成一个专业化的朝阳产业。磁记录介质用靶材是市场规模最大的三类靶材之一，磁记录介质的典型应用范例为机械硬盘，硬盘是计算机的主要数据存储器件。

随着存储密度的不断提高，磁记录方式由传统的面内磁记录转变为垂直磁记录，碟片的膜层已由过去的6~9层发展到了现在的19~23层，硬盘内碟片结构由过去的单碟片发展到了现在的多碟片，存储密度也由过去的几十MB/in²发展到了现在的1.0TB/in²。相应地，磁记录层靶材从最初的二元CoCr合金、三元CoCrPt合金、四元CoCrPtB到五元CoCrPtBCu。近年来人们逐渐发现钴铬铂二氧化硅材料中的氧化物几乎不与金属反应形成固溶体，同时易于在钴铬铂相的晶界处析出，形成良好孤立状态的磁晶结构。由于这种富氧晶界的高热稳定性，有利于磁性晶粒的晶粒细化及抑制晶粒生长，从而抑制工作过程中由于器件局部过热造成的热不稳定性及磁晶各向异性常数K_u的下降。

随着硬盘碟片膜层结构的升级和记录密度的增长，对钴铬铂二氧化硅薄膜的晶粒/厚度均匀性提出了更高的要求，这样就需要钴铬铂二氧化硅靶材的成份均匀性、透磁率、密度及微结构以及批次稳定性等都需要有更进一步的改善。目前国内外已有多家企业提供该类产品，本标准针对信息存储领域用关键基础材料钴铬铂二氧化硅溅射靶材，建立行业技术标准具有规范市场行为，促进行业技术发展的重要意义。

本标准规定了钴铬铂二氧化硅溅射靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和合同（或订货单）内容。

本标准适用于以高纯钴、铬、铂、二氧化硅为原料，经粉末冶金烧结工艺制得的钴铬铂二氧化硅溅射靶材，产品主要用于机械硬盘磁存储介质的磁记录层薄膜。

    本标准根据客户现有的技术要求，结合了钴铬铂二氧化硅溅射靶材未来3~5年的技术发展趋势，明确了钴铬铂二氧化硅溅射靶材的粉末冶金生产工艺，规范了产品的分类、物理性能、化学成份、物理规格、表面质量、内部质量、焊接质量的检验方法和具体技术指标及参数，并对取样方法、检验结果的判定、质量证明书、订货单内容以及标志、包装、运输、贮存等作出了详细的说明。

据估计，2017年全球用于采购磁性存储介质的靶材总额达到8亿美元。当前硬盘生产企业主要包括希捷、西数和东芝三个硬盘驱动器制造商；其中，希捷和西部数据建有内部磁盘生产厂以满足自生硬盘驱动器的需求。希捷磁盘的主要生产基地位于新加坡。西部数据磁盘的主要生产基地是在中国深圳和马来西亚的槟城。未来3~5年，磁性靶材市场年需求规模将维持在8亿美元左右。

目前磁记录用钴铬铂氧化硅靶材的主要供应商均为国外和台湾地区企业，包括日本日矿金属(JX Nippon Mining&Metals)、台湾光洋（Solar Applied Materials）、日本田中贵金属（TANAKA PRECIOUS METALS）。国内只有贵研铂业长期从事钴铬铂氧化物靶材的研发和产业化开发工作。

贵研铂业股份有限公司（下称简称“公司”）成立于2000年，于2003年在上交所上市。公司是从事贵金属系列功能材料研究、开发和生产经营的专业企业。公司集新产品科研和产业化建设一体，拥有一支以中国工程院院士为首的稳定的科研生产队伍，掌握着一系列贵金属功能材料的核心技术。公司产品涉及贵金属高纯材料、特种功能材料、信息功能材料、环境及催化功能材料四大类，300多个品种、4000余种规格，属国家产业政策重点支持的高技术特种功能材料行业，主要项目和产品在《当前国家重点鼓励发展的产业、产品和技术目录》、《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南》之列，产品用户涵盖电子信息、航空、航天、船舶、汽车、生物医药、化学化工、建材、矿产冶金、环保能源等行业。

贵研铂业自2008年以来针对磁记录领域用的系列关键基础材料Ru及CoCrPt系磁性靶材开展了相关应用基础研究工作，获得了国家重点研发计划项目、国家院所专项、省院所专项及公司重点攻关项目的支持。贵研铂业解决了磁性溅射靶材关键制备技术瓶颈，建立了磁性溅射靶材中试生产线，形成了一批具有自主知识产权的科技成果，发表学术论文50余篇，获授权发明专利15项，制订行业标准1项；与相关客户达成了初步合作意向。未来，贵研铂业将重点推进磁记录靶材产业化项目，预计项目建成达产后可实现年销售收入10亿元人民币。

    通过文献、专利调查以及使用厂家咨询和研究，检索ISO、ASTM、EN、JIS、DIN、国家和行业标准等，未发现钴铬铂二氧化硅溅射靶材的相关标准。