符合《战略性新兴产业分类（2018）》中3.2.9.2“高性能靶材制造”。

铬硅合金靶材主要应用于电子器件的薄膜混合集成电路中，在集成电路生产过程中，采用多种溅射技术、溅射单层或多层不同材质的金属薄膜，已达到产品的功能要求。

随着集成电路技术的进步以及器件尺寸的缩小，为满足集成电路元器件体积和重量急速减少的需求，要求集成电路中的电阻能达到更高的精度。高精度的薄膜电阻具有更高的稳定性和抗辐照强度，因此在航空、航天、通信、汽车电子、医疗设备、智能手机、导航系统等领域都得到广泛的应用。而在薄膜电阻中，铬硅合金形成的薄膜稳定性好，电阻温度系数小，且采用溅射方式能够改善薄膜特性，制作优良的薄膜电阻，使混合集成电路的性能得到提升。

电子元器件是电子信息产业的基础支撑，其中薄膜混合集成电路制作又为核心技术。截至目前，全球集成电路行业年市场规模达4200亿美元，其中集成电路设计份额占到近35%。随着5G技术的突破，物联网及人工智能等新一轮技术变革所带来的增量需求，集成电路产业销售额能继续增加。对国内市场来说，2019年我国集成电路产业销售额为7562.3亿元，同比增长15.8%；2020年以来，销售额达3539亿元，同比增长16.1%，增速较去年同期加快4.3个百分点。随着我国薄膜混合集成电路的飞速发展，对生产制造的原材料需求也日益增加。

铬硅合金靶材作为优异的薄膜电阻镀膜材料，也逐渐成为相关行业关注的焦点。但是对于铬硅合金靶材来说，其生产在国内仍然处于初期发展阶段，没有对应的标准统一产品的质量及性能，很大程度上制约了国内铬硅合金靶材的研发、制作及工业化生产，进而延缓了中国制造向全球发展的速度。因此，需要制定铬硅合金靶材的相关标准，以促进现有产品质量的提高，确保产品质量的稳定性及一致性，符合统一标准。

    综上，国内外目前并未发布符合铬硅合金靶材的国家或行业标准，因此对集成电路用铬硅合金靶材的生产急需建立行业标准，指导同类产品的研发、生产与销售。

本标准将制定集成电路用铬硅合金靶材标准，规定了铬硅合金靶材纯度、材料配比、相对密度、微观均匀性、焊接结合率、形状与尺寸、外观及清洗与包装等要求，主要适用于集成电路用铬硅合金靶材。

1. 铬硅合金靶材分为一体型与拼接型；

2. 铬硅合金靶材的材料配比为（质量比）：Cr：Si=（60:40，50:50，44.2:55.8，31.6:68.4）；

3. 铬硅合金靶材显微组织均匀一致；

4. 铬硅合金靶材相对密度≥98%；

5. 铬硅合金靶材焊接结合率≥95%；

   铬硅合金靶材表面应清洁光滑，无指痕、油污和锈蚀，无颗粒附加物和其他沾污，无凹坑、划伤、裂纹、凸起等缺陷。

1. 铬硅合金靶材主要应用于电子器件的薄膜混合集成电路中，属于发展前景比较广阔、市场需求较大的生产研究领域。经查询相关国内外文献资料，未检索到相关国际标准。

2. 当今随着技术的发展，5G通信业、医疗设备、航空航天、汽车电子、智能手机、导航系统等领域对薄膜混合集成电路的需求日益增加，同时对集成电路中薄膜电阻的精度要求增高。铬硅合金具有更好的稳定性、电阻温度系数小、黏附能力强，因此被广泛使用。国外以美国威世、ROHM、松下等美日企业为主，掌握了大部分薄膜混合集成电路制作的核心技术。而国内随着大力的政策扶持以及科技的创新发展，出现以中芯国际为主的一批具有强竞争力的企业。在此大环境下，铬硅合金靶材具有非常广阔的市场前景。但是，国内铬硅合金靶材的标准化工作还属于空白，没有相关国家及行业标准。

3. 宁波江丰电子材料股份有限公司成立于2005年，是余姚市政府引进、由国家“千人计划”专家姚力军博士领导的海外高层次归国留学人员组成的创业团队所创立的一家高科技企业，专业从事集成电路、平板显示器和太阳能用超高纯材料及溅射靶材研发、生产和销售。江丰电子已成为国内技术最先进、材料最齐全、工艺最完整、设备能力最强、产能最大的超高纯度金属材料及溅射靶材生产基地。

   本项目不存在知识产权的问题。