化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）是一种利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应的途径实现对材料表面涂层、基体改性的先进材料制备技术。化学气相沉积炉是用于各类热解炭、碳/碳复合材料、碳基材料、超高温陶瓷为基底的CVD气相沉积，以及各类金属、石墨基底涂层的CVD沉积制备工业炉，是高性能碳基、陶瓷基复合材料的重要制备工艺装备，《中国制造2025》提出：“加快研发先进熔炼、凝固成型、气相沉积、型材加工、高效合成等新材料制备关键技术和装备，加强基础研究和体系建设，突破产业化制备瓶颈”。

1、随着全球科学技术和经济快速发展，需要使用大量功能各异的C/C（碳纤维增强碳基复合材料）新材料，由于其高强度、低密度、耐高温等优异性能，具有不可替代性。传统的涂刷法和浸渍法仅能得到普通低密度的复合材料，化学气相沉积是制备高纯度、高密度、高强度、高模量碳基复合材料的关键环节。

2、化学气相沉积是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。化学气相沉积炉是制造高品质碳基复合新材料的关键装备。

3、随着技术的进步，近几年制造的化学气相沉积炉尺寸规格进一步扩大，并且安全问题越来越得到重视，原YS/T 1031-2015《化学气相沉积炉》标准需在尺寸规格、安全要求等方面进一步修订，使标准更加符合行业的发展需求。

4、修订完善化学气相沉积炉的行业标准，对规范行业制造水平、统一装备规格型号、性能尺度、不断提高产品质量、促进行业技术进步、替代同类产品的进口和降低成本具有重要意义。

本标准规定了化学气相沉积炉的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、随行文件、订货单内容和安全要求。

本标准适用于金属及合金材料、金属复合材料、碳及碳化硅材料、无机新材料、半导体材料等制备的化学气相沉积。

本次修订原因及内容如下：

1、根据近几年行业内实际生产使用的设备型号及参数，修改了4.4中表2中立式化学气相沉积炉的基本参数内容，将原型号中“VCVD-0812”更改为“VCVD-0810”，工作区尺寸由“φ800×1200mm”更改为“φ800×1000mm”，使设备型号及参数更加符合行业目前实际状况。

2、由于技术的发展进步，所需设备的规格越来越大，在4.4表2立式化学气相沉积炉的基本参数内容中，增加了“VCVD-3344”型号及其基本参数，满足了行业技术发展，对大设备的统一型号要求。

3、修改了5.2中表3中主要技术参数内容，将空炉升温平均速率“5～10℃/min”更改为“3～10℃/min”，使升温速率范围更宽，标准适用范围更广。

4、设备实际生产应用中，为了提高均温性测温热电偶的使用寿命，一般均温性测量温度都尽量不超过1000℃，因此将5.3.3.2中温度均匀性测量温度由“1050℃”更改为“1000℃”，更加符合行业实际状况。

5、为了使专业术语更加符合行业习惯，将5.2、5.3.2、7.2中的“升压率”更改为“压升率”。

6、为了提高设备操作维护的安全性，避免在使用过程中出现安全问题，增加了“9 安全要求”。

1、国内外对该技术研究情况简要说明：

在国外，化学气相沉积炉已形成标准化、系列化，在国内虽已得到局部运用，但与国外相比存在一定差距，需要加快发展。国外企业，如德国爱思强AIXTRON等企业制造化学气相沉积炉，具有先进的技术条件，并形成了统一的型号规格和设计验收标准。

在国内，在国家重大需求牵引下，自2009年开始研制化学气相沉积炉，通过十余年的技术积累和发展，突破了大型沉积装备设计、温度场/气流场均匀控制、大型沉积装备智能压力调控、腐蚀性液体气化及精确传送/进给、尾气处理等一系列关键技术，掌握了大型SiC、BN、Si₃N4及PyC等沉积装备设计及制造相关的全套技术，形成了国内领先的高精度碳基陶瓷基复合材料化学气相沉积炉设计和制造能力。

2. 项目与国际标准或国外先进标准采用程度的考虑：

经查询，尚无对应的国际标准。

3. 与国内相关标准间的关系：

经查询，尚无其它相关的国家或行业标准。

4. 指出是否发现有知识产权的问题：

本标准无知识产权问题。