铟及其化合物具有耐磨、耐腐蚀性及机械性能良好的特性，可作为各种仪器及高速发动机的轴承材料。在目前高技术电子信息材料研究中，铟作为半导体化合物及某些特种合金的重要材料，尤其是InP、InAs、InSb等的开发应用，广泛用于卫星通讯、移动通讯、光通讯、红外仪器及GPS导航等。

原行标5N高纯铟标准采用电解技术提纯，杂质铋、铅、鉈等元素电位与铟接近而很难分离，纯度难以进一步提高，必然采用新技术制备超高纯铟。但是国内关于超高纯铟的制备工艺不一，如电解法、真空蒸馏法、区熔熔炼法等，这些工艺对个别杂质去除效果不一，从而影响终端产品的质量和灵敏度。其次，国内暂无超高纯铟的产品标准，而市场和客户要求提供超高纯铟采购的技术要求。因此，起草制定《超高纯铟》标准具有非常重要的意义，能弥补解决目前市场上超高纯铟产品标准缺失的问题，同时可以减少超高纯铟产品在生产、销售过程中的质量异议和贸易争端。

范围：本标准适用于制作半导体化合物、高纯合金及半导体材料的掺杂剂等。

本标准规定了超高纯铟产品的技术要求、试验方法、检测规则及标志、包装、运输、储存和订货单（合同）内容等。

1.国内外产业情况

目前，国外超高纯铟生产规模较大的是日本能源、美国铟公司和科尼姆特种金属公司等公司，国内主要厂家有峨眉山市峨半高纯材料有限公司、南京中锗科技股份有限公司等。超高纯铟主要用作第二代半导体材料InP、InAs、InSb的基础材料。随着这几年第二代半导体材料的迅速发展，市场需求量逐渐增大，前景广阔，预计未来国内外市场对超高纯铟的需求还将继续增加。

2.申报单位情况

峨眉山市峨半高纯材料有限公司是峨嵋半导体材料研究所全资子公司，是高纯材料的生产、研发的承担者。长期以来，一直承担高纯产品标准的制定或修订，具备一定的工作经验。

目前，国内外暂未查到超高纯铟相关的产品标准， 国内仅有YS/T 264-2012《高纯铟》（牌号5N、6N），本标准与YS/T 264-2012《高纯铟》在适用范围、生产工艺、化学成分上不同。