生产颗粒硅的流化床技术是1981年美国Union Carbide公司研发成功的多晶硅制备工艺。该工艺的优点是能耗低、生产成本低、生产速度快、可连续生产、质量稳定效率高,并可实时检测。随着光伏产业对低成本多晶硅需求增长,流化床颗粒硅技术与反应装置不断更新,美国MEMC、REC、德国瓦克等公司已掌握此技术并生产出高纯颗粒硅。在国内,2016年8月保利协鑫收购美国SunEdison公司,获得电子级硅烷流化床颗粒硅技术及资产,通过引进国外先进技术与自主创新,目前保利协鑫旗下江苏中能硅业科技发展有限公司的颗粒硅已量产且产品质量稳定。陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司年产2万吨颗粒硅装置也陆续生产,亚洲硅业(青海)股份有限公司的中试线突破性地采用氯硅烷(二氯二氢硅)直接分解工艺制备颗粒多晶硅。
目前颗粒硅产品总金属杂质水平已达到不大于10 ng/g的水平,ICP-OES已无法满足检测的精度要求,故而本标准采用ICP-MS进行检测,并配置与金属杂质浓度相当的标准溶液,保证检测结果的准确性。
国内外没有颗粒硅总金属杂质含量的测试方法,现有的硅材料金属杂质含量测试的标准都是分别针对块状或棒状多晶硅基体金属或表面金属杂质的分析,这也是与产品标准中的要求相对应的。例如GB/T 31854-2015《光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法》用于测试块状或棒状硅中基体金属杂质含量测定,GB/T 29849-2013《光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱仪测量方法》适用于块状或棒状硅表面金属杂质含量测定。而颗粒硅产品要求的是总金属杂质含量,包括表面金属和基体金属,能全面反应颗粒硅的金属杂质含量,已有的标准不能涵盖本项目的需求,而且也无法通过修订满足本项目的需求。另外,本项目不需要对测试样品进行破碎、清洗和烘干等前处理步骤,直接加酸消解;检测元素较GB/T 31854-2015增加了镁、铝、钙、钛和钼,且各元素检测下限均不大于0.5ng/g,检测下限显著降低。
本标准的制定将为颗粒硅乃至小颗粒多晶硅产品质量的评价和提升提供技术支撑。本标准不涉及知识产权问题。