行业标准项目建议书
建议项目名称
(中文)
高纯铟
建议项目名称
(英文)
High purity indium
制定或修订
□制定 ■修订
被修订标准号
YS/T 264-2012
采用程度
□IDT □MOD □NEQ
采标号
国际标准名称
(中文)
国际标准名称
(英文)
采用快速程序
□FTP
快速程序代码
□B □C
ICS分类号
77.150.99
中国标准分类号
H66
牵头单位
中锗科技有限公司
体系编号
611
参与单位
云南锡业集团(控股)有限责任公司、朝阳金美镓业有限公司、广东先导稀材股份有限公司、武汉拓材科技有限公司、合肥中晶新材料有限公司等
完成周期(月)
18
目的、意义
或必要性

《战略性新兴产业分类(2018)》(国家统计局令第23号))中“3.2.9.1高纯金属制造”的“3239*其他稀有金属冶炼”明确提及高纯铟(全元素分析,纯度达到99.999%以上)。

铟是一种银白色有光泽的低熔点、高沸点易熔金属,熔点156.61,沸点2060,在地壳中含量极少,同时又很分散,主要伴生于铅锌矿等金属矿中。铟的质地极软且富有可塑性和延展性,具有优良的物理化学性能,在电子信息、航空航天等现代高新技术的多个领域得到了广泛的应用和飞速发展,是半导体材料、低熔点合金、轴承合金等材料合成的重要原料。高纯铟作为重要的战略新材料,不断完善、提高其技术要求符合产业发展的趋势和规律,高纯铟行业标准的修订十分必要和迫切。

我国现行高纯铟的产品标准为行业标准YS/T 264-2012。现阶段,高纯铟主要用于磷化铟、锑化铟、砷化铟等化合物半导体产业,随着近年来5G通信、气体检测、红外探测等产业的快速发展,客户对高纯铟产品质量提出了更高的要求。在化合物半导体行业,磷化铟(InP)单晶主要用于光电子和微波器件,其中,光电子器件用的低阻InP单晶片,原料要求使用6N高纯铟;微波器件用半绝缘InP单晶片,对原料要求更高,需7N以上的高纯铟才能满足要求,同时对于可能影响晶片迁移率、载流子浓度的Fe、S、Sn、Cu、Pb等杂质的控制提出了更高要求。从下游用户使用反馈的情况来看,对这些杂质含量的要求提高了一个数量级左右,用户强烈要求生产商能够以更高的标准要求规范、统一组织生产,适应下游客户更高标准的需求。

修订后的标准对现行高纯铟的技术要求、检验方法等进行更为科学的规定,使之与客户的需求发展相适应,可作为高纯铟研制、生产单位的依据、使用单位的选用和采购依据、检验机构的检验和试验依据,促进高纯铟的推广应用。


范围和主要
技术内容

本标准适用于以工业粗铟99.99%精铟为原料,经原料处理及电解精炼、真空蒸馏、直拉等工艺制备的纯度不低于99.999%和99.9999%的高纯铟,产品牌号分别为In-05和In-06,产品供制作化合物半导体、靶材、蒸镀、高纯合金、高级轴承及半导体材料的掺杂剂等。

本次修订主要对高纯铟的适用范围、杂质元素的含量、化学分析方法等内容进行修订。主要内容包括:

1.修改了范围,将原版本中的“本标准适用于以工业粗铟为原料”修改为“本文件适用于以工业粗铟或99.99%精铟为原料”,增加了99.99%精铟的原料,以适应越来越高的产品质量要求,同时利于统一比较口径,有利于产品质量一致性的提高;

2.修改了规范性引用文件中引用的化学分析方法文件,将原版本中的“GB/T 2594 高纯铟分析方法”修改为“YS/T 981(所有部分) 高纯铟化学分析方法”,同时更改高纯铟的化学分析方法,与行业现状相适应;

3.增加了术语和定义;

4.产品分类增加了以外形分类;

5.修改了化学成分的规定,将原版本中6N高纯铟中可能影响晶片迁移率、载流子浓度的Fe、Cu、Sn、Mg、Si、S等杂质的含量加严,增加杂质AlZn、As、Ag、Co、Bi等杂质含量的要求,使之更加贴近用户需求,原6N高纯铟杂质含量要求从8个增加为25个;

6.修改了化学成分分析方法(见4.1,2012年版的3.1),将高纯铟的化学分析方法修改为YS/T 981《高纯铟化学分析方法》

7.删除了锭形和锭重;

    8.更改取样方法和制样方法,使之与更新的化学分析方法要求相适应,主要涉及取样数量、样品要求等。原标准仲裁取样是从产品上均匀刨取样屑,然后弄碎、缩分进行检验,采用辉光放电质谱法进行测试,对试样尺寸有要求,取样、制样则改为将样品加热熔化并混合均匀,取样后制成截面积2mm29mm2、长度为20mm长条状或直径为20mm、厚度不超过 5mm的饼状。


国内外情况
简要说明

目前,高纯铟在国内外均已经实现了产业化生产,在国内主要有中锗科技有限公司、南锡业集团(控股)有限责任公司、朝阳金美镓业有限公司、峨嵋半导体材料所、广西铟泰科技有限公司、广东先导稀材股份有限公司、武汉拓材科技有限公司等生产厂家,在国外主要有美国铟公司、英国MCP公司、日本矿业、加拿大5NPLUS公司等生产厂家。

现阶段,高纯铟主要用于磷化铟、锑化铟等化合物半导体的生产。在化合物半导体行业,中国电子科技集团第十三研究所、中锗科技有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、广东先导先进材料股份有限公司、北京三平泰克科技有限责任公司、朝阳金美镓业有限公司、陕西铟杰半导体有限公司、厦门中芯晶研半导体有限公司、乐山凯亚达光电科技有限公司、合肥元晶科技材料有限公司等企业都在积极推进产业布局。

申报单位中锗科技有限公司是以“锗”为核心及其他红外光学材料、半导体衬底(InP、GaAs)等先进高端材料的研发、生产、销售和回收为一体的高新技术企业,其中公司具备年产150t铟产品的能力,所生产的6N高纯铟为江苏省名牌产品。近年来,随着中锗科技有限公司对碱洗、净化、置换法提取铟,电解法提纯铟等技术不断升级,形成了铟提取、铟电解(制备5N、6N高纯铟)等一批拥有自主知识产权的核心生产技术。

国外主要生产厂商都有各自的企业标准以及明确的产品说明和规格供参考,从掌握的情况来看,各公司的标准数据都不尽相同,规范的种类也不一致,但对产品的主要要求总体一致。原标准中规定的技术要求已不能满足使用需求,急需修订。

    本标准不涉及专利。


备注
 
牵头单位
(签字、盖公章)
月 日
标准化技术组织
(签字、盖公章)
月 日
部委托机构
(签字、盖公章)
月 日
[注1] 填写制定或修订项目中,若选择修订必须填写被修订标准号;
[注2] 选择采用国际标准,必须填写采标号及采用程度;
[注3] 选择采用快速程序,必须填写快速程序代码;
[注4] 体系编号是指在各行业(领域)技术标准体系建设方案中的体系编号。
文件说明
20行业标准项目建议书-高纯铟.doc (33.5KB)任务书(建议书)